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MMBT2222AW	文件：294.11 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2222AW	文件：1.0048 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Lowpowersurfacemountapplications. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT2222AW	文件：407.2 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT2222FW	文件：268.95 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222L	文件：181.04 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222L	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222L	文件：227.33 Kbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222Q	文件：257.269 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1WTamb=25 Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJTstg:-55to+150	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222T	文件：1.09407 Mbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT2222T	文件：248.57 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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产品属性

产品编号：
MMBT2222A-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

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