MMBFJ310L数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
MMBFJ310L |
参数属性 | MMBFJ310L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 |
功能描述 | N 沟道 JFET 晶体管 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 19:30:00 |
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MMBFJ310L规格书详情
描述 Description
This N-Channel JFET device is designed for high frequency amplifiers and oscillators.
特性 Features
• SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• Drain and Source are interchangable
• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
简介
MMBFJ310L属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的MMBFJ310L晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBFJ310L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- IDSS Min (µA)
:24000
- IDSS Max (µA)
:60000
- V(BR)GSS Min (V)
:25
- Ciss Max (pF)
:5
- Crss Max (pF)
:2.5
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+/25+ |
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SOT-23-3 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
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ON/安森美 |
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SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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ON |
23+ |
SOT-23 |
36000 |
原装正品现货 |
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ON/安森美 |
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