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MMBFJ310L数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

MMBFJ310L

参数属性

MMBFJ310L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

功能描述

N 沟道 JFET 晶体管
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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MMBFJ310L规格书详情

描述 Description

This N-Channel JFET device is designed for high frequency amplifiers and oscillators.

特性 Features

• SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• Drain and Source are interchangable
• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable

简介

MMBFJ310L属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的MMBFJ310L晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBFJ310L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • IDSS Min (µA)

    :24000

  • IDSS Max (µA)

    :60000

  • V(BR)GSS Min (V)

    :25

  • Ciss Max (pF)

    :5

  • Crss Max (pF)

    :2.5

  • Package Type

    :SOT-23-3

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