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MMBFJ310中文资料N 沟道 RF 晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBFJ310

参数属性

MMBFJ310 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

功能描述

N 沟道 RF 晶体管
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:14:00

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MMBFJ310规格书详情

描述 Description

该器件设计用于VHF/UHF放大器、振荡器和混频器应用。 作为一个常见的栅极放大器,可以在100MHz时实现16dB,在450MHz时实现12dB。 采用工艺92设计。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBFJ310属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的MMBFJ310晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBFJ310

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel RF Amplifier 

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • IDSS Min (µA)

    :Condition: VDS = 10V

  • IDSS Max (µA)

    :Condition: VDS = 10V

  • V(BR)GSS Min (V)

    :Condition: Ig = 1uA

  • Ciss Max (pF)

    :-

  • Crss Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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