MMBFJ310数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBFJ310 |
| 参数属性 | MMBFJ310 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 |
| 功能描述 | N 沟道 RF 晶体管 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 21:04:00 |
| 人工找货 | MMBFJ310价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBFJ310规格书详情
描述 Description
该器件设计用于VHF/UHF放大器、振荡器和混频器应用。 作为一个常见的栅极放大器，可以在100MHz时实现16dB，在450MHz时实现12dB。 采用工艺92设计。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBFJ310属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的MMBFJ310晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBFJ310
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel RF Amplifier
- Channel Polarity
：N-Channel
- IDSS Min (µA)
：Condition: VDS = 10V
- IDSS Max (µA)
：Condition: VDS = 10V
- V(BR)GSS Min (V)
：Condition: Ig = 1uA
- Ciss Max (pF)
：-
- Crss Max (pF)
：-
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
2000 |
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询价 | ||
国产 |
25+ |
SOT-23 |
51848 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
32000 |
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询价 | ||
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23+ |
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询价 | ||
ON |
24+/25+ |
54858 |
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询价 | |||
ON |
23+ |
SOT-23 |
12800 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
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23+ |
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20094 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT23 |
18000 |
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询价 |
