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SN5460	文件：154.67 Kbytes Page：4 Pages	DUAL4-INPUTEXPANDERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SN5460J	文件：154.67 Kbytes Page：4 Pages	DUAL4-INPUTEXPANDERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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SST5460	文件：54.08 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelJFETs features HighInputImpedance VeryLowNoise HighGain:AV=80@20A LowCapacitance:1.2pFTypical benefits LowSignalLoss/SystemError HighSystemSensitivity High-QualityLow-LevelSignal Amplification applications Low-Current,Low-VoltageAmplifiers High-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SST5460	文件：50.33 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STLC5460	文件：377.29 Kbytes Page：54 Pages	LINECARDINTERFACECONTROLLER DESCRIPTION TheLineCardInterfaceController,STLC5460,isamonolithicswitchingdeviceforthepathcontrolofupto128channelsof16,32,64kbpsbandwidth.Twoconsecutive64kbpschannelsmayalsobehandledasaquasisingle128kbpschannel.Forthesechannels,theLCICperformsnon-bl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TTC5460B	文件：154.84 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconNPNTriple-DiffusedType Applications •DynamicFocus •High-VoltageSwitching •High-VoltageAmplifiers Features (1)Highcollectorvoltage:VCEO=800V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
VB5460	文件：594.63 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
MMBF5460_Q
功能描述：
JFET P-Channel Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
50 mA 漏源电压
VDS：
15 V
漏极连续电流：
50 mA
封装/箱体：
SC-59
封装：
Reel

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更多MMBF5460_Q供应商更新时间2025-7-29 11:01:00

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