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MMBF4391LT1G数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF

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厂商型号

MMBF4391LT1G

参数属性

MMBF4391LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

功能描述

MOS(场效应管)
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:48:00

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MMBF4391LT1G规格书详情

简介

MMBF4391LT1G属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的MMBF4391LT1G晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBF4391LT1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :50mA @ 15V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :225mW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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