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MMBD914LT1G	文件：194.26 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode,HighSpeed,100V Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBD914LT1G	文件：2.68409 Mbytes Page：36 Pages	GigabitEthernetSwitchEvaluationBoard	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MMBD914LT1G	文件：132.88 Kbytes Page：4 Pages	High-SpeedSwitchingDiode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：90.11 Kbytes Page：4 Pages	High-SpeedSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD914LT1G	文件：52.34 Kbytes Page：3 Pages	High?뭆peedSwitchingDiode High−SpeedSwitchingDiode Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LMBD914LT1G	文件：933.28 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEEDSWITCHINGDIODE ●FEATURES 1)Wedeclarethatthematerialofproductcompliantwith RoHSrequirementsandHalogenFree. 2)S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SMMBD914LT1G	文件：194.26 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode,HighSpeed,100V Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MMBD914LT1HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
250mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GP 100V 250MA SOT23-3

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