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MMSD914	文件：165.91 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateSwitchingDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMSD914	文件：158.15 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingDiode,HighSpeed,100V Features •SOD-123SurfaceMountPackage •HighBreakdownVoltage •FastSpeedSwitchingTime •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMSD914	文件：497.78 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features ●FastSwitchingSpeed ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaicInsertion ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●HighConductance ●Pb-Freepackageisavailable	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMSD914	文件：1.07562 Mbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMSD914	文件：94.66 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE SiliconEpitaxialPlanarDieConstruction FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MRF914	文件：85.97 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: DesignedprimarilyforuseinHighGain,lownoisegeneralpurposeamplifiers.Alsoexcellentforhighspeedswitchingapplications. Features •SiliconNPN,highFrequency,To-72packaged,Transistor •HighPowerGain-Gmax=15dB(typ)@f=500MHz •LowNoiseFigure NF=	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF914	文件：90.31 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: DesignedprimarilyforuseinHighGain,lownoisegeneralpurposeamplifiers.Alsoexcellentforhighspeedswitchingapplications. Features •SiliconNPN,HighFrequencyTransistor •HighPowerGain-Gmax=15dB(typ)@f=500MHz •LowNoiseFigure:NF=2.5dB(typ)@f=	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MVL-914ASOLC	文件：99.33 Kbytes Page：8 Pages	JACKLEDs Benefits •FewerLEDsRequired •LowersLightingSystemCost Features •HighFluxOutput •DesignedforHighCurrentOperation •LowThermalResistance •LowProfile •Reliable •PackagedinTubesforUsewithAutomaticInsertionEquipment Applications •AutomotiveExteriorLighting •	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
MVL-914AUYLC	文件：99.33 Kbytes Page：8 Pages	JACKLEDs Benefits •FewerLEDsRequired •LowersLightingSystemCost Features •HighFluxOutput •DesignedforHighCurrentOperation •LowThermalResistance •LowProfile •Reliable •PackagedinTubesforUsewithAutomaticInsertionEquipment Applications •AutomotiveExteriorLighting •	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
MVL-914HBC	文件：99.33 Kbytes Page：8 Pages	JACKLEDs Benefits •FewerLEDsRequired •LowersLightingSystemCost Features •HighFluxOutput •DesignedforHighCurrentOperation •LowThermalResistance •LowProfile •Reliable •PackagedinTubesforUsewithAutomaticInsertionEquipment Applications •AutomotiveExteriorLighting •	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT

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产品属性

产品编号：
MMBD914-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
150mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

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