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MMBD4448V	文件：617.29 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES •Fastswitchingspeed •Highconductance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBD4448V	文件：101.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD4448V	文件：257.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •FastSwitchingSpeed •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD4448V	文件：322.59 Kbytes Page：2 Pages	SOT-563Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES •Fastswitchingspeed •Highconductance •Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH •MoistureSensitivityLevel1	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBD4448V	文件：1.95079 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES ●Fastswitchingspeed ●Highconductance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBD4448V	文件：592.25 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Fastswitchingspeed Highconductance	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBD4448VPT	文件：110.89 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODEARRAY FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-563) Highspeed.(TRR=4.0nSecMax.) FastSwitchingSpeed. Ultra-SmallSurfaceMountPackage. ForGeneralPurposeSwitchingApplications. HighConductance. APPLICATION *Fasthighspeedswitching	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
MMBD4448W	文件：272.3 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes Features ◇Fastswitchingspeed. ◇Highconductance. ◇Forgeneralpurposeswitchingapplications. ◇Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD4448W	文件：270.65 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode FEATURES ●Fastswitchingspeed. ●Highconductance. ●Forgeneralpurposeswitchingapplications. ●Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeswitchingapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD4448W	文件：102.91 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IO:250mA Collector-basevoltage VR:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

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