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MMBD354LT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBD354LT1G |
| 参数属性 | MMBD354LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
127.59 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-17 9:11:00 |
| 人工找货 | MMBD354LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBD354LT1G规格书详情
MMBD354LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MMBD354LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
Dual Hot Carrier Mixer Diodes
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.
特性 Features
•Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V
•Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA
•Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
MMBD354LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
管件
- 二极管类型：
肖特基 - 1 对共阴极
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
ONSemi |
23+ |
SOT-23 |
55 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 (TO-236) |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价MMBD354LT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON |
25+ |
SOT23DPBFR |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
6887 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ONN |
2526+ |
原厂封装 |
2226 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
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