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MMBD354LT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBD354LT1G |
| 参数属性 | MMBD354LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
127.59 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-10-4 8:31:00 |
| 人工找货 | MMBD354LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBD354LT1G规格书详情
MMBD354LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MMBD354LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
Dual Hot Carrier Mixer Diodes
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.
特性 Features
•Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V
•Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA
•Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
MMBD354LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
管件
- 二极管类型：
肖特基 - 1 对共阴极
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
26+ |
SOT23 |
98000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
26+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
43600 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
SOT-23 |
12369 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
6925 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
ON(安森美) |
26+ |
NA |
8000 |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
SOT-23 |
12421 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
6887 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON |
2020+ |
SOT-23 |
3015 |
全新 发货1-2天 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2019+ |
SOT23 |
36000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
询价 |
