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MMBD354L中文资料7.0 V 双共阴极肖特基二极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBD354L

参数属性

MMBD354L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

功能描述

7.0 V 双共阴极肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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MMBD354L规格书详情

描述 Description

The Schottky Diode is designed primarily for UHF mixer applications but is suitable also for use in detector and ultra fast switching circuits.

特性 Features

• Very Low Capacitance - Less Than 1.0 pF @ Zero Volts
• Low Forward Voltage - 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA
• Pb-Free Packages are Available
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable

简介

MMBD354L属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MMBD354L二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBD354L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Common Cathode

  • VRRM Min (V)

    :7

  • VF Max (V)

    :0.6

  • IRM Max (µA)

    :0.25

  • IO(rec) Max (A)

    :-

  • IFSM Max (A)

    :-

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :1

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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