MMBD353L中文资料7.0 V 肖特基二极管，双，串联，逆向数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MMBD353L |
| 参数属性 | MMBD353L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | 7.0 V 肖特基二极管，双，串联，逆向 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | MMBD353L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBD353L规格书详情
描述 Description
The Schottky Diode is designed primarily for UHF mixer applications but is suitable also for use in detector and ultra fast switching circuits.
特性 Features
• Very Low Capacitance - Less Than 1.0 pF @ Zero Volts
• Low Forward Voltage - 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA
• Pb-Free Packages are Available
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable
简介
MMBD353L属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MMBD353L二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBD353L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Configuration
：Series
- VRRM Min (V)
：7
- VF Max (V)
：0.6
- IRM Max (µA)
：0.25
- IO(rec) Max (A)
：-
- IFSM Max (A)
：-
- trr Max (ns)
：-
- Cj Max (pF)
：1
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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