丝印：MM50GBU65B；Package：TO-247；650V 50A IGBT

□ 650V IGBT chip in trench FS-technology □ VCE(sat) with positive temperature coefficient PRODUCT FEATURES □ Low switching losses □ Fast switching and short tail current □ Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery

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MACMIC

宏微科技

丝印：MM50G3T120BM；Package：TO-247Plus；1200V 50A IGBT

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MACMIC

宏微科技

丝印：MM50G3U120BMX；Package：TO-247Plus；1200V 50A IGBT

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MACMIC

宏微科技

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

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SEME-LAB

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

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SEME-LAB

TOP SIDE CONTACT - PHOSPHOR BRONZE

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JAE

航空电子

TOP SIDE CONTACT - PHOSPHOR BRONZE

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