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MMBTRA101SS	文件：167.25 Kbytes Page：2 Pages	SMDDigitalPNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBTRC101SS	文件：176.89 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRC101SS	文件：111.77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountBiasResistorTransistors SurfaceMountBiasResistorTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBTRC101SS	文件：113.33 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountBiasResistorTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBTRC101SS	文件：3.54368 Mbytes Page：6 Pages	NPNDigitalTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTRC101SS	文件：837.36 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialplanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	Surge Surge Components	Surge
MMDL101	文件：110.8 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •VeryLowCapacitance—Lessthan1.0pF@ZeroVolts •LowNoiseFigure—6.0dBTyp@1.0G	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MMDL101	文件：221.23 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lownoisefigure—6.0dBTyp.@1.0GHz. ●VeryLowCapacitance—lessthan1.0pF@0V. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●PNjunctionguardringfortransientandESDprotection. APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL101	文件：243.04 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ◇Lownoisefigure—6.0dBTyp.@1.0GHz. ◇VeryLowCapacitance—lessthan1.0pF@0V. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇PNjunctionguardringfortransientandESDprotection. Applications ◇Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDL101	文件：51.48 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowNoiseFigure6.0dBTyp.@1.0GHz PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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