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MMBD101	文件：241.09 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ◇Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz ◇Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ◇Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ◇Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. Applications ◇Highspeedswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD101	文件：155.98 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes FEATURES ●Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz. ●Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ●Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ●Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. ●MSL1. APPLICATIONS ●Highspeedswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD101	文件：1.10316 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD101	文件：52.44 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowNoiseFigure6.0dBTyp.@1.0GHz PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD101TS	文件：110.39 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowInductance,SmallLead-Length(SOD-523)Package •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD101W	文件：89.41 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD101WS	文件：67.96 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBTRA101SS	文件：168.41 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRA101SS	文件：860.91 Kbytes Page：6 Pages	PNPDigitalTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTRA101SS	文件：157.88 Kbytes Page：2 Pages	SMDDigitalPNPTransistors Features Costandspacesavingsbyintegrated biasresistorcombinations ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Digitalcontrols Switching,Signalprocessing Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weight	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

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