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MLM-170PG	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	Visible LED Conventional Brightness-GaP, GaAsP and AlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170R	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
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MMBF170	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBF170	文件：62.76 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBF170	文件：517.87 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBF170	文件：140.38 Kbytes Page：2 Pages	0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBF170	文件：873.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●Surface-mountedpackage ●Advancedtrenchcelldesign ●Extremelylowthresholdvoltage ●ESDprotected(HBM>2KV) Quickreference ●BV≧60V ●Ptot≦0.83W ●ID≦0.5A ●RDS(ON)≦3Ω@VGS=10V ●RDS(ON)≦4Ω@VGS=4.5V	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBF170L	文件：131.12 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET 500mA,60V,N−ChannelSOT−23 Features •NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBF170Q	文件：213.39 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMF170A	文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	200W170VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MMF170A	文件：811.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MMF170A	文件：497.58 Kbytes Page：5 Pages	Lowprofilepackage	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨启半导体上海晨启半导体有限公司	SEMITECH
MMF170A	文件：244.4 Kbytes Page：4 Pages	5.0to190Volts200WattsSMDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MMF170CA	文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	200W170VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MMF170CA	文件：497.58 Kbytes Page：5 Pages	Lowprofilepackage	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨启半导体上海晨启半导体有限公司	SEMITECH

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详细参数

型号：
MLM-170PG
制造商：
MICRO-ELECTRONICS
制造商全称：
Micro Electronics
功能描述：
Visible LED Conventional Brightness-GaP, GaAsP and AlGaAs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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