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B1412	文件：209.53 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor Features 1)LowVCE(sat). 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics 3)Complementsthe2SD2118	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
B1412	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	LowFrequencyTransistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
B1412	文件：818.25 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgaincharacteristics,complementsthe2SD2118. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
B1412	文件：458.52 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerAmplifierApplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
B1412	文件：265.26 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1205-usedsetsmaller •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifie	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
B1412	文件：249.13 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features: ExcellentDCCurrentGainCharacteristics LowVCE(Sat)	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
B1412	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
BURNDY_YF1412ID	文件：271.86 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.71L,TinPlated,Blue,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
BURNDY_YF1412IT	文件：271.9 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.71L,TinPlated,Gray,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
BURNDY_YF1412IW	文件：254.57 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.71L,TinPlated,Blue.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
BURNDY_YF1412UI	文件：258.709 Kbytes Page：2 Pages	CuAlloyBareFerrule,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.47L,Seamlessbbl,TinPlated,ForUseOnCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
C1412COA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
C1412CPA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
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C1412NCUA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司

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详细参数

型号：
ML1412R
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
FOR OPTICAL INFORMATION SYSTEMS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	ML1412R	MITSUBISHI	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市大联智电子有限公司	ML14158-5P	DLZ	22+	SOP16	354000		询价
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更多ML1412R供应商更新时间2024-4-28 9:00:00

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