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MK5812SLF	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLFTR	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NTE5812	文件：15.21 Kbytes Page：1 Pages	6AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812	文件：19.79 Kbytes Page：1 Pages	NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812HC	文件：25.05 Kbytes Page：1 Pages	10AmpPlasticSiliconRectifier	NTE NTE Electronics	NTE
PT5812	文件：212.62 Kbytes Page：11 Pages	20AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
MK5812GLFTR
功能描述：
IC CLK GENERATOR LOW EMI 8TSSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器
系列：
-
标准包装：
2,000
类型：
PLL 时钟发生器
PLL：
带旁路
输入：
LVCMOS，LVPECL
输出：
LVCMOS
电路数：
1 比率 -
2：
11 差分 -
输出：
是/无频率 -
最大：
240MHz
除法器/乘法器：
是/无
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
32-LQFP
供应商设备封装：
32-TQFP（7x7）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MK5812GLFTR供应商更新时间2025-5-28 15:19:00

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