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MK5812SLF	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLFTR	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NTE5812	文件：15.21 Kbytes Page：1 Pages	6AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812	文件：19.79 Kbytes Page：1 Pages	NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812HC	文件：25.05 Kbytes Page：1 Pages	10AmpPlasticSiliconRectifier	NTE NTE Electronics	NTE
PT5812	文件：212.62 Kbytes Page：11 Pages	20AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
MK5812G
功能描述：
时钟驱动器及分配
RoHS：
否
制造商：
Micrel
1：
4
输出类型：
Differential
最大输出频率：
4.2 GHz
电源电压-最小：
5 V
最大工作温度：
+ 85 C
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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