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MK5811STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）时钟发生器，PLL，频率合成器描述：IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
NTE5811	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifier Diode, 12 Amp Description: The NTE5810, NTE5811, and NTE5870 through NTE5891 are low power general purpose rectifier diodes in a DO4 type package designed for battery chargers, converters, power supplies, and machine tool controls. Features: • High Surge Current Capability • High Voltage Available 文件：24.01 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
NTE5811	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifier Diode, 12 Amp, DO4 Description: The NTE5810, NTE5811, and NTE5870 through NTE5891 are low power general purpose rectifier diodes in a DO4 type package designed for battery chargers, converters, power supplies, and machine tool controls. Features: • High Surge Current Capability • High Voltage Available 文件：66.19 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
NTE5811	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifier Diode, 12 Amp, DO4 Description: The NTE5810, NTE5811, and NTE5870 through NTE5891 are low power general purpose rectifier diodes in a DO4 type package designed for battery chargers, converters, power supplies, and machine tool controls. Features: • High Surge Current Capability • High Voltage Available 文件：66.19 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

产品属性

产品编号：
MK5811STR
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟发生器，PLL，频率合成器
包装：
管件
类型：
时钟发生器
PLL：
是
输入：
时钟，晶体
输出：
LVCMOS
比率 - 输入：
1：1
差分 - 输入：
无/无
频率 - 最大值：
32MHz
分频器/倍频器：
无/是
电压 - 供电：
3V ~ 3.63V
工作温度：
0°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MK5811STR	IDT	23+	SOIC-8	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多MK5811STR供应商更新时间2025-11-24 15:36:00

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