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|---|---|---|---|---|
MJW3281AG | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors The MJW3281A and MJW1302A are PowerBase power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear applications. Features Designed for 100 W Audio Frequency Gain Complementary: Gain Linearity from 100 mA to 7 A hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A Low Harmonic Distortion 文件：199.48 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MJW3281AG | 15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 230 VOLTS 200 WATTS 文件：74.49 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MJW3281AG | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors 文件：160.51 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MJW3281AG | Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 230V 15A TO247-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
MJW3281AG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 7A，5V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
TRANS NPN 230V 15A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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