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MJW21195分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJW21195
厂商型号

MJW21195

参数属性

MJW21195 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 250V 16A TO247-3

功能描述

Silicon Power Transistors
TRANS PNP 250V 16A TO247-3

文件大小

91.95 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 21:06:00

MJW21195规格书详情

MJW21195 (PNP)

MJW21196 (NPN)

The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

Features

•Total Harmonic Distortion Characterized

•High DC Current Gain −hFE= 20 Min @ IC= 8 Adc

•Excellent Gain Linearity

•High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second

•Pb−Free Packages are Available*

MJW21195属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJW21195晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    MJW21195

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 3.2A,16A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 8A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 16A TO247-3

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