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MJF44H11数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJF44H11

参数属性

MJF44H11 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 10A TO220FP

功能描述

NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 80V 10A TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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MJF44H11规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJF44H11 (NPN) and MJF45H11 (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
• Fast Switching Speeds
• Complementary Pairs Simplifies Designs
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJF44H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJF44H11晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJF44H11

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :10

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :-

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1.5

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :50

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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