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MJF31C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MJF31C

参数属性

MJF31C 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220FP

功能描述

3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
TRANS NPN 100V 3A TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

90.27 Kbytes

页面数量

8 页

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2026-10-21 18:41:00

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MJF31C规格书详情

MJF31C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MJF31C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package Applications

Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

特性 Features

•Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat)= 1.2 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc

•Collector−Emitter Sustaining Voltage −

VCEO(sus)= 100 Vdc (Min)

•High Current Gain −Bandwidth Product

fT= 3.0 MHz (Min) @ IC= 500 mAdc

•UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMSIsolation

•Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJF31C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO220FP

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