MJF3055分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MJF3055 |
参数属性 | MJF3055 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 90V 10A TO220FP |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
156.43 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
人工找货 | MJF3055价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MJF3055规格书详情
MJF3055属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJF3055晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
MJF3055 (NPN)
MJF2955 (PNP)
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 90 VOLTS, 30 WATTS
Specifically designed for general purpose amplifier and switching applications.
特性 Features
• Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min)
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) 90 Volts
• 10 Amperes Rated Collector Current
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
• Epoxy Meets UL 94 V−0 at 0.125 in
• ESD Ratings: Machine Model, C; 400 V
Human Body Model, 3B; 8000 V
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号:
MJF3055
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.5V @ 3.3A,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 4A,4V
- 频率 - 跃迁:
2MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220FP
- 描述:
TRANS NPN 90V 10A TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220F |
7350 |
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