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MJF2955中文资料PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJF2955

参数属性

MJF2955 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 90V 10A TO220FP

功能描述

PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 90V 10A TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-9-17 19:10:00

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MJF2955规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is specifically designed for general purpose amplifier and switching applications.

特性 Features

• Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min)
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T
• Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(sus) 90 Volts
• 10 Amperes Rated Collector Current
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJF2955属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJF2955晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJF2955

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :2.5

  • IC Cont. (A)

    :10

  • VCEO Min (V)

    :90

  • VCBO (V)

    :-

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.5

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :100

  • fT Min (MHz)

    :2

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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