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MJF122G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJF122G
厂商型号

MJF122G

参数属性

MJF122G 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

155.91 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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MJF122G规格书详情

MJF122G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJF122G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Complementary Power Darlingtons

For Isolated Package Applications

Designed for general−purpose amplifiers and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis.

Features

• Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127

• 100 VCEO(sus)

• 5.0 A Rated Collector Current

• No Isolating Washers Required

• Reduced System Cost

• High DC Current Gain −2000 (Min) @ IC= 3 Adc

• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMSIsolation

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJF122G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 20mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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