MJE803G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MJE803G |
参数属性 | MJE803G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO126 |
功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
文件大小 |
140.21 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-28 11:00:00 |
MJE803G规格书详情
These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
Features
• High DC Current Gain − hFE
= 2000 (Typ) @ IC
= 2.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to
Limit Leakage − Multiplication
• Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series
• Pb−Free Packages are Available*
MJE803G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJE803G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
MJE803G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.8V @ 40mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 2A,3V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2021+ |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
21000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
5750 |
可订货,请确认 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2122+ |
TO-225 |
60000 |
全新原装正品现货,假一赔十 |
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22+ |
NA |
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ON |
20+ |
TO-126 |
90000 |
原装正品现货/价格优势 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-225 |
18000 |
原装正品 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-225 |
860000 |
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NA |
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原装正品现货库存QQ:2987726803 |
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