MJE802中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
MJE802 |
| 参数属性 | MJE802 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32 |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：MJE802
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-126
- Configuration/ Description
：NPN Darlington
- Polarity
：NPN
- IC MAX
：4A
- PD MAX
：40W
- VCEO MAX
：80V
- VCES MAX
：-
- hFE MIN
：750
- hFE MAX
：-
- @VCE
：3V
- VCE(SAT) MAX
：2.5V
- @IC
：1.5A
- @IB
：30mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：-
- fT TYP
：-
- fT MIN
：1MHz
- NF MAX
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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