MJE800中文资料4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJE800 |
| 参数属性 | MJE800 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3 |
| 功能描述 | 4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | MJE800价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJE800规格书详情
描述 Description
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJE700, MJE702, MJE703 (PNP); and MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) are complementary devices.
特性 Features
• High DC Current Gain - hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
• Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication
• Choice of Packages- MJE700 and MJE800 series
• Pb-Free Packages are Available
简介
MJE800属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJE800晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJE800
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：4
- V(BR)CEO Min (V)
：60
- VCE(sat) Max (V)
：2.5
- hFE Min (k)
：0.75
- hFE Max (k)
：-
- fT Min (MHz)
：-
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-126 |
1259 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
25+ |
TO-225AATO-126 |
54558 |
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M |
24+ |
TO 126 |
157363 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-225 |
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