MJE271中文资料2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJE271 |
参数属性 | MJE271 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A TO126 |
功能描述 | 2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管 |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
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MJE271规格书详情
描述 Description
双极功率晶体管是专们设计与 MC3419 固态用户环路接口电路(SLIC)配合使用。MJE270(NPN)和 MJE271(PNP)是互补器件。
特性 Features
• High Safe Operating Area IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A - TO-126
• Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
• High DC Current Gain hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min)
• Pb-Free Packages are Available
简介
MJE271属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE271晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
MJE271
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 1.2mA,120mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1500 @ 120mA,10V
- 频率 - 跃迁:
6MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3280 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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MOT |
23+ |
NA |
20000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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22+ |
TO126 |
100000 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
25+ |
TO-225AATO-126 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
NA |
990000 |
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