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MJPE45H11-Q	文件：368.63 Kbytes Page：12 Pages	80V,8APNPhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD45Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplication	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MK45H11	文件：696.17 Kbytes Page：16 Pages	VERYFASTCMOS512/1K/2Kx9BiPORTFIFO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MK45H11K	文件：696.17 Kbytes Page：16 Pages	VERYFASTCMOS512/1K/2Kx9BiPORTFIFO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MK45H11N	文件：696.17 Kbytes Page：16 Pages	VERYFASTCMOS512/1K/2Kx9BiPORTFIFO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NJVMJB45H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD45H11G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD45H11G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD45H11RLG	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD45H11RLG	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJK45H11TWG	文件：1.97976 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposePNP Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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深圳市能创芯电子科技有限公司	MJD45H11J	NEXPERIA/安世	23+	SOT428	6000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
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