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MJD45H11	文件：152.94 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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MJD45H11_10	文件：164.1 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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MJD45H11-001G	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MJD45H
功能描述：
两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJD45H供应商更新时间2025-7-26 8:12:00

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