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MJD44H11-252

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD45H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinappl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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MJD44H11AJ

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更多MJD44H11-252供应商 更新时间2025-7-31 12:03:00