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MJD44H11-252	文件：342.76 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A ·Fast Switching Speeds ·Complement to Type MJD45H11 ·DPAK for Surface Mount Applications APPLICATIONS ·Designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in appl 文件：342.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD44H11AJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	DPAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市中赛美电子科技有限公司	NEXPERIA/安世
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