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MJD42C-251	文件：297.24 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-6A ·ComplementtoTypeMJD41C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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MJD42C-251

文件：297.24 Kbytes

Page：2 Pages

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-6A ·ComplementtoTypeMJD41C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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上海市鑫鸿达电子	MJD42CG	ON Semiconductor	2022+		1	全新原装货期两周	询价

更多MJD42C-251供应商更新时间2025-5-28 14:08:00

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