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MJD3055-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.1V(Max) @IC= 4A ·Complement to Type MJD2955 APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications

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ISC

无锡固电

MJD3055T4G

TO252

ON

MJD3055T4G

TO252

ON

MJD31C

TO-252

NK/南科功率

MJD31CT4G

TO-252

NK/南科功率

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更多MJD3055-251供应商 更新时间2026-1-31 13:30:00