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MJE2955T	文件：123.69 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60V,75W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS.	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJE2955T	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：93.11 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconPowerTtransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJE2955T	文件：132.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·ComplementtotypeMJE3055T ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=-4Adc ·Collector–emittersaturationvoltage-VCE(sat)=-1.1Vdc(Max)@IC=-4Adc APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE2955T	文件：161.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE2955T	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJE2955T	文件：85.06 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications FEATURES: PowerDissipation-PD=75W©Tc=25°C DCCurrentGainhFE=20-100©lc=4.0A *vCE(isrt)=1-1V(Max.)©lc=4.0A,IB=400mA	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE2955T	文件：882.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE2955T	文件：47.25 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS PowerTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE2955T	文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MJD2955RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD2955RLG	onsemi(安森美)	24+	TO-252	2176	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	MJD2955RLG	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
深圳市一线半导体有限公司	MJD2955T4	ON/ONSemiconductor/安森	24+	TO-252	8000	新进库存/原装	询价
深圳市星佑电子有限公司	MJD2955T4	ST	06+	?TO-252	1000	全新原装绝对有货	询价

更多MJD2955RLG供应商更新时间2025-7-27 8:12:00

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