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SGM13001A	文件：410.23 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS GENERALDESCRIPTION TheSGM13001Aisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASS,Galileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers18.2dBgainatanextremelylownoise figureof0.9dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1160MHzto 1300MHz	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM13001B	文件：398.7 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS GENERALDESCRIPTION TheSGM13001Bisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASS,Galileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers18.3dBgainatanextremelylownoise figureof0.9dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1550MHzto 1615MHz.	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM13001C	文件：431.64 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS ENERALDESCRIPTION TheSGM13001Cisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASS,Galileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers19.1dBgainatanextremelylownoise figureof0.83dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1550MHzto 1615MHz.	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
ST13001	文件：162.26 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forhighvoltageandhighspeedswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STC13001	文件：91.91 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
T-13001	文件：57.57 Kbytes Page：2 Pages	10BASE-TTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TS13001	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	GalvanicIsolatedBlocking56VPowerLoadSwitch Description TheTS13001isagalvanicisolated56Vpowerswitchdevicewithbi-directionalblocking.Thedeviceincludesasingleintegrated110mOhmhighvoltageFETallowinghighefficiencyswitchingofpowerloadsorotherhighcurrentapplications.Theinputpin,CLK,controlstheturnon/off	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
TS13001	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageNPNTransistor BVCEO=400V BVCBO=500V Ic=0.1A VCE(SAT),=0.5V@Ic/Ib=50mA/10mA Features ◇Highvoltage. ◇Highspeedswitching Structure ◇Silicontriplediffusedtype. ◇NPNsilicontransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS13001CT	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageNPNTransistor BVCEO=400V BVCBO=500V Ic=0.1A VCE(SAT),=0.5V@Ic/Ib=50mA/10mA Features ◇Highvoltage. ◇Highspeedswitching Structure ◇Silicontriplediffusedtype. ◇NPNsilicontransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS13001-QFNR	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	GalvanicIsolatedBlocking56VPowerLoadSwitch Description TheTS13001isagalvanicisolated56Vpowerswitchdevicewithbi-directionalblocking.Thedeviceincludesasingleintegrated110mOhmhighvoltageFETallowinghighefficiencyswitchingofpowerloadsorotherhighcurrentapplications.Theinputpin,CLK,controlstheturnon/off	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MJD13001-C	UTG	23+	SOT-23	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多MJD13001-C供应商更新时间2025-7-14 11:10:00

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