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MJD122-251	文件：296.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications ·Built-in a damper diode at E-C ·Complementary Pairs Simplifies Designs APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：296.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多MJD122-251供应商更新时间2026-1-30 10:02:00