MJ2955数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
MJ2955规格书详情
描述 Description
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications.The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.
特性 Features
• DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
• Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
• Excellent Safe Operating Area
• Pb-Free Packages are Available
技术参数
- 制造商编号
：MJ2955
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：15
- VCEO Min (V)
：60
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：7
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.5
- hFE Min
：20
- hFE Max
：70
- fT Min (MHz)
：2.5
- PTM Max (W)
：115
- Package Type
：TO-204-2
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