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MIW50N65F-BP分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

MIW50N65F-BP
厂商型号

MIW50N65F-BP

参数属性

MIW50N65F-BP 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 650V 40A TO-247

功能描述

Trench and Field Stop IGBT 650V 50A
IGBT 650V 40A TO-247

文件大小

1.07932 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 Micro Commercial Components
企业简称

MCC美微科

中文名称

美微科半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 22:03:00

MIW50N65F-BP规格书详情

Features

• High Speed Smooth Switching Device for Hard and Soft Switching

• Vce(sat) with Positive Temperature Coefficient

• High Ruggedness, Good Thermal Stability

• Very Tight Parameter Distribution

• Halogen Free. “Green” Device (Note 1)

• Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

• Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS

Compliant. See Ordering Information)

MIW50N65F-BP属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。美微科半导体股份有限公司制造生产的MIW50N65F-BP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MIW50N65F-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.27mJ(开),650µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    55ns/319ns

  • 测试条件:

    300V,50A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AB

  • 描述:

    IGBT 650V 40A TO-247

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