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NDP710AE	文件：296.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP710B	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP710B	文件：295.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP710BE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP710BE	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NE710	文件：279.05 Kbytes Page：7 Pages	LOWNOISEKu-KBANDGaAsMESFET LOWNOISEKu-KBANDGaAsMESFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
OPB710	文件：220.53 Kbytes Page：2 Pages	REFLECTIVEOBJECTSENSORS Description: OPB710andOPB710FconsistofagalliumarsenideinfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistor.OPB730andOPB730FconsistofagalliumarsenideinfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphotodarlington. Features: •Choiceofphototransistororphotodarlingtonout	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB710	文件：188.69 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveObjectSensor	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB710	文件：946.78 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveObjectSensor	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
OPB710F	文件：188.69 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveObjectSensor	Optek OPTEK Technologies	Optek

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产品属性

产品编号：
MIKROE-710
制造商：
MikroElektronika
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
包装：
散装
类型：
电源管理
功能：
电池充电器
嵌入式：
无
使用的 IC/零件：
MCP73832
所含物品：
板
描述：
BOARD USB CHARGER

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