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MUR605CT	文件：814.04 Kbytes Page：2 Pages	6AmpSuperFastGlassPassivatedRectifier50to600Volts Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR605CT	文件：94.14 Kbytes Page：1 Pages	Glasspassivatedchip Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR605FCT	文件：455.25 Kbytes Page：2 Pages	6AmpSuperFastGlassPassivatedRectifier50to600Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
NCP605	文件：147.42 Kbytes Page：13 Pages	500mA,LowIGND,CMOSLDORegulatorwith/withoutEnableandwithEnhancedESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP605	文件：219.92 Kbytes Page：14 Pages	LDORegulator-LowIGND,CMOSwith/withoutEnableandwithEnhanced500mA TheNCP605/NCP606provideinexcessof500mAofoutput currentatfixedvoltageoptionsoranadjustableoutputvoltagefrom 5.0Vdownto1.25V.Thesedevicesaredesignedforspace constrainedandportablebatterypoweredapplicationsandoffer additionalfeaturessuchashighPSRR,lowno	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP605A	文件：184.52 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerFleidEffectTransistor	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NDP605A	文件：121.5 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NDP605A	文件：1.31345 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDP605B	文件：184.52 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerFleidEffectTransistor	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NDP605B	文件：121.5 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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