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MICRORB-SMTPA-10020-GEVB	文件：1.63837 Mbytes Page：11 Pages	Silicon Photomultipliers (SiPM), Red-Enhanced Second Generation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJ10020	文件：101.44 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperateds	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	60AMPERENPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS200AND250VOLTS250WATTS SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlington TransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ10020	文件：211.84 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(60A,200-250V,250W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ10020	文件：1.85377 Mbytes Page：10 Pages	NPNSiliconPowerDarligtonTransistorwithBase-EmitterSpeedupDiode60AMPERE,200AND250VOLTS,250WATTS FEATURES: 1.FastTurn–OffTimes 150nsInductiveFallTimeat25ºC(Typ) 750nsInductiveStorageTimeat25ºC(Typ) 2.OperatingTemperatureRange–65to+200ºC 3.100ºCPerformanceSpecifiedfor: ReversedBiasedSOAwithInductiveLoads SwitchingTimeswithInductiveLoads Saturatio	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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