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MICRORB-SMA-10020-GEVB	文件：1.63837 Mbytes Page：11 Pages	Silicon Photomultipliers (SiPM), Red-Enhanced Second Generation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MICRORB-SMA-10020-GEVB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器评估板 - 传感器描述：EVAL SENSOR PHOTODIODE 905NM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MICRORB-SMTPA-10020-GEVB	文件：1.63837 Mbytes Page：11 Pages	SiliconPhotomultipliers(SiPM),Red-EnhancedSecondGeneration	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MICRORD-10020-MLP-TR	文件：1.47262 Mbytes Page：9 Pages	NIR-Enhanced,SinglePixelSiliconPhotomultiplier(SiPM)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MICRORD-10020-MLP-TR-E	文件：1.47262 Mbytes Page：9 Pages	NIR-Enhanced,SinglePixelSiliconPhotomultiplier(SiPM)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MICRORD-SMA-10020-GEVB	文件：1.47262 Mbytes Page：9 Pages	NIR-Enhanced,SinglePixelSiliconPhotomultiplier(SiPM)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MICRORD-SMTPA-10020-GEVB	文件：1.47262 Mbytes Page：9 Pages	NIR-Enhanced,SinglePixelSiliconPhotomultiplier(SiPM)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ10020	文件：101.44 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperateds	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SWITCHMODE™Series NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	60AMPERENPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS200AND250VOLTS250WATTS SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlington TransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJ10020	文件：211.84 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(60A,200-250V,250W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ10020	文件：1.85377 Mbytes Page：10 Pages	NPNSiliconPowerDarligtonTransistorwithBase-EmitterSpeedupDiode60AMPERE,200AND250VOLTS,250WATTS FEATURES: 1.FastTurn–OffTimes 150nsInductiveFallTimeat25ºC(Typ) 750nsInductiveStorageTimeat25ºC(Typ) 2.OperatingTemperatureRange–65to+200ºC 3.100ºCPerformanceSpecifiedfor: ReversedBiasedSOAwithInductiveLoads SwitchingTimeswithInductiveLoads Saturatio	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MMAJ-10020LA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020LY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020MA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020MY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MUR10020	文件：124.64 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10020CT	文件：620.3 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS ULTRAFASTSWITCHMODEPOWERRECTIFIER ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ●DualDiodeConstruction ●LowLeakageCurrent ●LowForwardVoltage ●175°COperatingJunctionTemperatu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MUR10020CT	文件：113.75 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10020CT	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI

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产品属性

产品编号：
MICRORB-SMA-10020-GEVB
制造商：
onsemi
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - 传感器
系列：
RB-SERIES SIPM
包装：
散装
传感器类型：
光，硅光电倍增管（SiPM）
接口：
模拟
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
MicroRB-10020
描述：
EVAL SENSOR PHOTODIODE 905NM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
讯运(深圳/上海)电子有限公司	MICRORB-SMA-10020-GEVB	onsemi(安森美)	2021+	-	499		询价
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