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MURH10010	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10010	文件：652.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10010R	文件：652.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURT10010	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：749.69 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURT10010R	文件：413.25 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
OH10010	文件：45.76 Kbytes Page：2 Pages	GaAsHallDevice ■Features •Hallvoltage:typ.105mV(VC=6V,B=0.1T) •Inputresistance:typ.0.75kΩ •SatisfactorylinearityofGaAshallvoltagewithrespecttothemagneticfield •Smalltemperaturecoefficientofthehallvoltage:β≤−0.06/°C •Minitype(4-pin)packagewithpositioningprojec	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

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产品属性

产品编号：
MICRORB-10010-MLP-TR
制造商：
onsemi
类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
系列：
RB
包装：
带
波长：
905nm
颜色 - 增强：
红外（NIR）/红
频谱范围：
300nm ~ 1050nm
二极管类型：
引脚
不同 nm 时响应度：
52 kA/W @ 905nm
响应时间：
1.5ns
电流 - 暗（典型值）：
520nA
有效面积：
1mm²
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-WDFN
描述：
IC SENSOR SIPM 1MM 10U 4CWDFN

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