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MUR10010CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10010CT	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10010CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10010CT	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10010CTR	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MUR10010CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
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MURF10010	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF10010R	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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产品属性

产品编号：
MICRORB-10010-MLP-TR
制造商：
onsemi
类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
系列：
RB
包装：
带
波长：
905nm
颜色 - 增强：
红外（NIR）/红
频谱范围：
300nm ~ 1050nm
二极管类型：
引脚
不同 nm 时响应度：
52 kA/W @ 905nm
响应时间：
1.5ns
电流 - 暗（典型值）：
520nA
有效面积：
1mm²
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-WDFN
描述：
IC SENSOR SIPM 1MM 10U 4CWDFN

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