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MMBD101	文件：228.17 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes FEATURES ●Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz ●Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ●Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ●Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. APPLICATIONS ●Highspeedswitching.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD101	文件：203.09 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD101	文件：241.09 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ◇Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz ◇Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ◇Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ◇Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. Applications ◇Highspeedswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD101	文件：155.98 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes FEATURES ●Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz. ●Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ●Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ●Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. ●MSL1. APPLICATIONS ●Highspeedswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD101	文件：1.10316 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD101	文件：52.44 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowNoiseFigure6.0dBTyp.@1.0GHz PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD101TS	文件：110.39 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowInductance,SmallLead-Length(SOD-523)Package •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD101W	文件：89.41 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD101WS	文件：67.96 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBTRA101SS	文件：168.41 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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