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SM2290NSQGC-TRG	文件：261.5 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
TISP2290	文件：393.09 Kbytes Page：10 Pages	TELECOMMUNICATIONSYSTEMSECONDARYPROTECTION description TheTISP2290isdesignedspecificallyfor telephoneequipmentprotectionagainstlightning andtransientsinducedbya.c.powerlines. Thesedeviceswillsupressvoltagetransients betweenterminalsAandC,BandC,andAand B. Transientsareinitiallyclippedbyzeneraction	SYC SYC Electronica	SYC
TISP2290	文件：211.1 Kbytes Page：11 Pages	DUALSYMMETRICALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS description TheTISP2290isdesignedspecificallyfortelephoneequipmentprotectionagainstlightningandtransientsinducedbya.c.powerlines.ThesedeviceswillsupressvoltagetransientsbetweenterminalsAandC,BandC,andAandB. Transientsareinitiallyclippedbyzeneractionuntil	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TISP2290L	文件：125.79 Kbytes Page：6 Pages	DUALSYMMETRICALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS description TheTISP2290Lisdesignedspecificallyfortelephoneequipmentprotectionagainstlightningandtransientsinducedbya.c.powerlines.ThesedeviceswillsupressvoltagetransientsbetweenterminalsAandC,BandC,andAandB. Transientsareinitiallyclippedbyzeneractionunti	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TZ2290A	文件：375.46 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.026.2144MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VB2290	文件：750.86 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290	文件：673.26 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290	文件：672.14 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290A	文件：732 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290A	文件：733.12 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
MIC2290BML-TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
功能：
升压
输出配置：
正
拓扑：
升压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
2.5V
电压 - 输入（最大值）：
10V
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.5V
电压 - 输出（最大值）：
34V（开关）
电流 - 输出：
750mA（开关）
频率 - 开关：
1.2MHz
同步整流器：
无
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VFDFN 裸露焊盘，8-MLF®
供应商器件封装：
8-MLF®（2x2）
描述：
IC REG BOOST ADJ 750MA 8MLF

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