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TISP2290L	文件：125.79 Kbytes Page：6 Pages	DUAL SYMMETRICAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS description TheTISP2290Lisdesignedspecificallyfortelephoneequipmentprotectionagainstlightningandtransientsinducedbya.c.powerlines.ThesedeviceswillsupressvoltagetransientsbetweenterminalsAandC,BandC,andAandB. Transientsareinitiallyclippedbyzeneractionunti	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TZ2290A	文件：375.46 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.026.2144MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VB2290	文件：750.86 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290	文件：673.26 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290	文件：672.14 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2290A	文件：732 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
TISP2290L
功能描述：
硅对称二端开关元件
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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