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HCTS374HMSR	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374K	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374K	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374KMSR	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374KMSR	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374KTR	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374MS	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374MS	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374T	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HE374B	文件：112.31 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HF374	文件：1.93062 Mbytes Page：12 Pages	SignalandRFRelays	MACOM Tyco Electronics	MACOM
HMC374	文件：219.69 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HMC374	文件：249.3 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz GeneralDescription TheHMC374&HMC374EaregeneralpurposebroadbandLowNoiseAmplifiers(LNA)foruseinthe0.3-3GHzfrequencyrange.TheLNAprovides15dBofgainanda1.5dBnoisefigurefromasinglepositivesupplyof+2.75to+5.5V.Thelownoisefigurecoupledwithahigh	Hittite HITTITE	Hittite
HMC374E	文件：219.69 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HVC374B	文件：22.41 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HVC374B	文件：148.73 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •Lowoperationcurrent. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD374B	文件：150.45 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISCNH374D	文件：330.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JD374A	文件：167.86 Kbytes Page：4 Pages	HPA5500-24G-SFPEISwitchwith2InterfaceSlots	ROUTER-SWITCHRouter-switch Ltd. 香港越健科技有限公司	ROUTER-SWITCH
JODY-W374	文件：111.14 Kbytes Page：2 Pages	Host-basedmoduleswithWi-Fi6andBluetooth5.1 Keyfeatures •2x2MIMO802.11ax5GHz,beamforming •Wi-Ficoncurrentdualband2.4and5GHz •Wi-Fidatarates(PHY):Upto1.2Gbit/s(5GHz) •Wi-Fi20,40,and80MHzchannels •DFSmasterzero-wait •Multi-roleoperation:AP,STA,P2P •Security:WPA3,allcommonmethodsofsecurity	U-BLOXu-blox AG AGu-blox AG	U-BLOX

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